En este trabajo se llevan a cabo clculos ab-initio para estudiar la adsorcin e incorporacin de tomos de cobre (Cu) en la superficie de Nitruro de Galio, (0001)GaN y en las capas ms profundas de un slab de GaN, con la geometra 22. Se emplea el mtodo del seudopotencial-ondas planas dentro del marco de la teora del funcional de la densidad (DFT). Se describe la interaccin electrn-electrn mediante la aproximacin de gradiente generalizado(GGA). Naci en Marzo de 1982 en Montera-Crdoba-Colombia.Realiz estudios de pregrado y maestra en Fsica en la Universidad de Crdoba (Colombia). Actualmente realiza estudios de doctorado en la Universidad de Sucre (Colombia) en el rea de ptica Cuntica de Semiconductores.

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Adsorcin e Incorporacin de tomos de Cu en la Superficie (0001)GaN
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