Mesures photovoltaques du silicium dop au manganse et au soufre

L’etude de la photoconductivite et de l’electricite, ainsi que des spectres d’absorption optique du silicium dope avec diverses impuretes est particulierement interessante pour developper des echantillons prometteurs de cellules photoelectriques en silicium avec une sensibilite spectrale etendue, en particulier dans la region infrarouge. Ce travail presente les resultats des etudes des spectres de photoconductivite, ainsi que des mesures electriques de la tension a vide et du courant de court-circuit d’echantillons de silicium monocristallin, allies avec des impuretes de manganese et de soufre avec elimination couche par couche de la surface. Une revue des differentes approches visant a augmenter l’efficacite de la photoconversion est egalement presentee. Ce livre peut interesser les chercheurs dans le domaine de la physique des solides, les developpeurs de cellules photoelectriques, ainsi que les etudiants en physique des semi-conducteurs.