Misure fotovoltaiche del silicio drogato con manganese e zolfo

Lo studio della fotoconduttivita elettrica e degli spettri di assorbimento ottico del silicio drogato con varie impurita e di particolare interesse per lo sviluppo di promettenti campioni di fotocellule al silicio con sensibilita spettrale estesa, in particolare nella regione dell’infrarosso. In questo lavoro vengono presentati i risultati degli studi sugli spettri della fotoconduttivita, nonche le misure elettriche della tensione a vuoto e della corrente di cortocircuito di campioni di silicio monocristallino, legati con impurita di manganese e zolfo con rimozione strato per strato della superficie. Viene inoltre fornita una rassegna di vari approcci per aumentare l’efficienza della fotoconversione. Il libro puo interessare i ricercatori nel campo della fisica dello stato solido, gli sviluppatori di fotocellule e gli studenti di fisica dei semiconduttori.